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记忆体 DRAM 厂商评估採用 EUV 技术, 降低单位

据 DRAMeXchange 报导,DRAM 市场供给过剩导致价格不断下跌,DRAM 厂虽然尽量减产但仍然无法让价格明显止跌,维持获利的唯一方法就是微缩製程来降低单位生产成本。不过,DRAM 製程向 1z nm 或 1α nm 製程推进的难度愈来愈高,随着 EUV 量产技术获得突破,或可有效降低 DRAM 成本。

记忆体  DRAM 厂商评估採用 EUV 技术, 降低单位

据悉,三星预期在今年11月开始量产採用 EUV 技术的 1z nm DRAM,量产初期将与三星晶圆代工共享 EUV 设备,初期使用量虽不大,但却等于宣示 DRAM 光罩微影技术会朝 EUV 方向发展。至于 SK Hynix 及 Micron 也已表明开始评估採用 EUV 技术,业界预期将可能在 1α nm 或 1β nm 世代开始导入。

三星的 1z nm 属于第三代 10nm 级製程,10nm 级製程并不是 10nm,由于 20nm 节点之后 DRAM 的製程升级变得困难,所以 DRAM 记忆体製程的线宽指标不再那么精确,于是有了 1x nm、 1y nm及 1z nm 之分,简单来说 1x nm 製程相当于 16-19nm,1y nm 相当于 14-16nm,1z nm 大概是 12-14nm 级别,而在这之后还有 1α 及 1β 製程。

记忆体  DRAM 厂商评估採用 EUV 技术, 降低单位

由于先进製程採用 EUV 微影技术已是趋势,在台积电第二季 EUV 技术 7+nm 进入量产阶段并获华为海思订单后,三星晶圆代工也採 用EUV 量产 7nm 製程,Intel 预期2021年 7nm 会首度导入 EUV 技术。而随着製程持续推进至 5nm 或 3nm 后,EUV 光罩层会明显增加2~3倍以上,对 EUV 光罩盒需求亦会出现倍数成长。




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